Urmăriți
Колесникова, Евгения Александровна; EA Kolesnikova, ЕА Колесникова
Колесникова, Евгения Александровна; EA Kolesnikova, ЕА Колесникова
Belarusian State University, Physics Department, 4 Nezavisimosti Av., 220030 Minsk, Belarus
Adresă de e-mail confirmată pe bsu.by - Pagina de pornire
Titlu
Citat de
Citat de
Anul
EFFECT OF EXPLOSIVE THERMAL EVAPORATION CONDITIONS ON THE PHASE COMPOSITION, CRYSTALLITE ORIENTATION, ELECTRICAL AND MAGNETIC PROPERTIES OF HETEROEPITAXIAL InSb FILMS ON SEMI …
VV Uglov, AP Drapezo, AK Kuleshov, DP Rusalski, EA Kolesnikova
High Temperature Material Processes: An International Quarterly of High …, 2021
102021
Радиационная стабильность датчиков, изготовленных на основе n-InSb-i-GaAs
ЕА Колесникова, АК Кулешов, ДП Русальский, ВА Гуринович
Минск: БГУ, 2021
32021
Study of temperature coefficient of resistance of n-InSb films on i-GaAs (100) substrate and temperature sensors based on them
E Kolesnikova, VV Uglov, A Drapezo, R Dmitry
High Temperature Material Processes: An International Quarterly of High …, 2022
22022
Структура и терморезистивные свойства плёнок антимонида индия, полученных методом взрывного термического испарения
ЕА Колесникова, ВВ Углов, АП Драпезо, АК Кулешов, ДП Русальский
Материалы и структуры современной электроники, 65-70, 2020
12020
Структура и электрические свойства гетероэпитаксиальных пленок антимонида индия, ионами криптона с энергией 145 МэВ
ЕВ Тетеруков, ЕА Колесникова
Минск: БГУ, 2023
2023
Modeling of Temperature Fields and Track Formation in Indium Antimonide during Irradiation with High-Energy Krypton Ions
EV Teterukov, VV Uglov, AK Kuleshov, EA Kolesnikova, DP Rusalsky
Минск: БГУ, 2023
2023
Effect of Krypton Irradiation on the Surface Morphology of Indium Antimonide Films on Gallium Arsenide Substrates
EA Kolesnikova, EV Teterukov
Минск: БГУ, 2023
2023
ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ КРИПТОНА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК АНТИМОНИДА ИНДИЯ НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
АК Кулешов, ВВ Углов, ДП Русальский, ЕА Колесникова, ЕВ Тетеруков
Взаимодействие ионов с поверхностью «ВИП-2023», 88-91, 2023
2023
Электрические свойства гетероэпитаксиальных пленок антимонида индия, облученных протонами с энергией 1,5 МэВ
Кулешов АК, Углов ВВ, Русальский ДП, Колесникова ЕА
материалы V международной научно-практической конференции, Минск, 18−19 мая …, 2023
2023
Влияние высокоэнергетического облучения ионами криптона на электрические свойства плёнок антимонида индия, синтезированных методом взрывного термического испарения
ЕВ Тетеруков, ЕА Колесникова
материалы XXVIII международной научно-практической конференции аспирантов …, 2023
2023
Surface morphology and crystal structure of indium antimonide films
EV Teterukov, EA Kolesnikova, VV Uglov
Минск: БГУ, 2022
2022
Effect of gamma irradiation on electrical resistivity of indium antimonide films
EA Kolesnikova, VV Uglov, AK Kuleshov, DP Rusalsky, EV Teterukov, ...
Минск: БГУ, 2022
2022
Study of temperature coefficient of resistance of n-InSb films on i-GaAs (100) substrate and produce temperature sensor of them
VV Uglov, EA Kolesnikova, AP Drapezo, AK Kuleshov, DP Rusalsky
Begell House, Inc., 2022
2022
Влияние облучения электронами на электрические свойства гетероэпитаксиальных структур n-InSb-i-GaAs
ВВ Углов, ЕА Колесникова, АК Кулешов, ДП Русальский, ЕВ Тетеруков
Четырнадцатый Международный Уральский Семинар «Радиационная физика металлов …, 2022
2022
EFFECT OF ELECTRON IRRADIATION ON THE ELECTRIC PROPERTIES OF HETEROEPITAXIAL n-InSb-i-GaAs STRUCTURES
VV Uglov, EA Kolesnikova, AK Kuleshov, DP Rusalsky, EV Teterukov
RADIATION DAMAGE PHYSICS OF METALS AND ALLOYS, 70, 2022
2022
Formation of epitaxial InSb films on semi-insulating GaAs (100) by explosive thermal evaporation: their structure and electrical properties
ЕА Колесникова, ВВ Углов, АК Кулешов, ДП Русальский
Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 20-25, 2021
2021
Radiation stability of sensors manufactured on the basis of n-InSb-i-GaAs
EA Kolesnikova, AK Kuleshov, DP Rusalsky, VA Gurinovitch
2021
ФОРМИРОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК InSb НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕМ GaAs (100) МЕТОДОМ ВЗРЫВНОГО ТЕРМИЧЕСКОГО ИСПАРЕНИЯ: ИХ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
ЕА КОЛЕСНИКОВА, ВВ УГЛОВ, АК КУЛЕШОВ, ДП РУСАЛЬСКИЙ
Журнал Белорусского государственного университета. Физика 3, 20-25, 2021
2021
Formation of epitaxial InSb films on semi-insulating GaAs (100) by explosive thermal evaporation: their structure and electrical properties
EA Kolesnikova, VV Uglov, AK Kuleshov, DP Rusalsky
Минск: БГУ, 2021
2021
Исследование электрических свойств плёнок антимонида индия (InSb), облученных гамма-квантами
ЕА Колесникова, ВВ Углов, ЕВ Тетеруков
Приборостроение-2021, 288-289, 2021
2021
Sistemul nu poate realiza operația în acest moment. Încercați din nou mai târziu.
Articole 1–20