| EFFECT OF EXPLOSIVE THERMAL EVAPORATION CONDITIONS ON THE PHASE COMPOSITION, CRYSTALLITE ORIENTATION, ELECTRICAL AND MAGNETIC PROPERTIES OF HETEROEPITAXIAL InSb FILMS ON SEMI … VV Uglov, AP Drapezo, AK Kuleshov, DP Rusalski, EA Kolesnikova High Temperature Material Processes: An International Quarterly of High …, 2021 | 10 | 2021 |
| Радиационная стабильность датчиков, изготовленных на основе n-InSb-i-GaAs ЕА Колесникова, АК Кулешов, ДП Русальский, ВА Гуринович Минск: БГУ, 2021 | 3 | 2021 |
| Study of temperature coefficient of resistance of n-InSb films on i-GaAs (100) substrate and temperature sensors based on them E Kolesnikova, VV Uglov, A Drapezo, R Dmitry High Temperature Material Processes: An International Quarterly of High …, 2022 | 2 | 2022 |
| Структура и терморезистивные свойства плёнок антимонида индия, полученных методом взрывного термического испарения ЕА Колесникова, ВВ Углов, АП Драпезо, АК Кулешов, ДП Русальский Материалы и структуры современной электроники, 65-70, 2020 | 1 | 2020 |
| Структура и электрические свойства гетероэпитаксиальных пленок антимонида индия, ионами криптона с энергией 145 МэВ ЕВ Тетеруков, ЕА Колесникова Минск: БГУ, 2023 | | 2023 |
| Modeling of Temperature Fields and Track Formation in Indium Antimonide during Irradiation with High-Energy Krypton Ions EV Teterukov, VV Uglov, AK Kuleshov, EA Kolesnikova, DP Rusalsky Минск: БГУ, 2023 | | 2023 |
| Effect of Krypton Irradiation on the Surface Morphology of Indium Antimonide Films on Gallium Arsenide Substrates EA Kolesnikova, EV Teterukov Минск: БГУ, 2023 | | 2023 |
| ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ КРИПТОНА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК АНТИМОНИДА ИНДИЯ НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ АК Кулешов, ВВ Углов, ДП Русальский, ЕА Колесникова, ЕВ Тетеруков Взаимодействие ионов с поверхностью «ВИП-2023», 88-91, 2023 | | 2023 |
| Электрические свойства гетероэпитаксиальных пленок антимонида индия, облученных протонами с энергией 1,5 МэВ Кулешов АК, Углов ВВ, Русальский ДП, Колесникова ЕА материалы V международной научно-практической конференции, Минск, 18−19 мая …, 2023 | | 2023 |
| Влияние высокоэнергетического облучения ионами криптона на электрические свойства плёнок антимонида индия, синтезированных методом взрывного термического испарения ЕВ Тетеруков, ЕА Колесникова материалы XXVIII международной научно-практической конференции аспирантов …, 2023 | | 2023 |
| Surface morphology and crystal structure of indium antimonide films EV Teterukov, EA Kolesnikova, VV Uglov Минск: БГУ, 2022 | | 2022 |
| Effect of gamma irradiation on electrical resistivity of indium antimonide films EA Kolesnikova, VV Uglov, AK Kuleshov, DP Rusalsky, EV Teterukov, ... Минск: БГУ, 2022 | | 2022 |
| Study of temperature coefficient of resistance of n-InSb films on i-GaAs (100) substrate and produce temperature sensor of them VV Uglov, EA Kolesnikova, AP Drapezo, AK Kuleshov, DP Rusalsky Begell House, Inc., 2022 | | 2022 |
| Влияние облучения электронами на электрические свойства гетероэпитаксиальных структур n-InSb-i-GaAs ВВ Углов, ЕА Колесникова, АК Кулешов, ДП Русальский, ЕВ Тетеруков Четырнадцатый Международный Уральский Семинар «Радиационная физика металлов …, 2022 | | 2022 |
| EFFECT OF ELECTRON IRRADIATION ON THE ELECTRIC PROPERTIES OF HETEROEPITAXIAL n-InSb-i-GaAs STRUCTURES VV Uglov, EA Kolesnikova, AK Kuleshov, DP Rusalsky, EV Teterukov RADIATION DAMAGE PHYSICS OF METALS AND ALLOYS, 70, 2022 | | 2022 |
| Formation of epitaxial InSb films on semi-insulating GaAs (100) by explosive thermal evaporation: their structure and electrical properties ЕА Колесникова, ВВ Углов, АК Кулешов, ДП Русальский Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 20-25, 2021 | | 2021 |
| Radiation stability of sensors manufactured on the basis of n-InSb-i-GaAs EA Kolesnikova, AK Kuleshov, DP Rusalsky, VA Gurinovitch | | 2021 |
| ФОРМИРОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК InSb НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕМ GaAs (100) МЕТОДОМ ВЗРЫВНОГО ТЕРМИЧЕСКОГО ИСПАРЕНИЯ: ИХ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЕА КОЛЕСНИКОВА, ВВ УГЛОВ, АК КУЛЕШОВ, ДП РУСАЛЬСКИЙ Журнал Белорусского государственного университета. Физика 3, 20-25, 2021 | | 2021 |
| Formation of epitaxial InSb films on semi-insulating GaAs (100) by explosive thermal evaporation: their structure and electrical properties EA Kolesnikova, VV Uglov, AK Kuleshov, DP Rusalsky Минск: БГУ, 2021 | | 2021 |
| Исследование электрических свойств плёнок антимонида индия (InSb), облученных гамма-квантами ЕА Колесникова, ВВ Углов, ЕВ Тетеруков Приборостроение-2021, 288-289, 2021 | | 2021 |
Кулешов Андрей Константинович (A...Belarusian State University, Physics Department, 4 Nezavisimosti Av., 220030 Minsk, BelarusAdresă de e-mail confirmată pe bsu.by
