Creați-vă propriul profil
Citat de
Toate | Din 2019 | |
---|---|---|
Referințe bibliografice | 1182 | 803 |
h-index | 19 | 12 |
i10-index | 25 | 15 |
Acces public
Afișați-le pe toate10 articole
2 articole
disponibile
indisponibile
Pe baza cerințelor privind finanțarea
Coautori
- Ankur NipaneIntel CorporationAdresă de e-mail confirmată pe intel.com
- Abhinandan BorahNavitas SemiconductorAdresă de e-mail confirmată pe navitassemi.com
- James C. HoneDepartment of Mechanical Engineering, Columbia UniversityAdresă de e-mail confirmată pe columbia.edu
- Winston ChernMassachusetts Institute of TechnologyAdresă de e-mail confirmată pe mit.edu
- Younghun JungColumbia University, Postdoctoral Research ScientistAdresă de e-mail confirmată pe columbia.edu
- Sapan AgarwalSandia National LaboratoriesAdresă de e-mail confirmată pe sandia.gov
- Eli YablonovitchAdresă de e-mail confirmată pe eecs.berkeley.edu
- Pouya HashemiIBM Manager and Senior Research ScientistAdresă de e-mail confirmată pe us.ibm.com
- Tao YuAnalog Devices, IncAdresă de e-mail confirmată pe analog.com
- Abhay PasupathyProfessor of Physics, Columbia University and Group Leader, Brookhaven National LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe columbia.edu
- William W. Sullivan IIIDRS TechnologiesAdresă de e-mail confirmată pe drs.com
- Hyung-Seok LeeMassachusetts Institute of TechnologyAdresă de e-mail confirmată pe etri.re.kr
- José MenéndezProfessor of Physics, Arizona State UniversityAdresă de e-mail confirmată pe asu.edu
- Mathieu LuisierETH ZurichAdresă de e-mail confirmată pe iis.ee.ethz.ch
- Steven J. KoesterProfessor of Electrical & Computer Engineering, University of MinnesotaAdresă de e-mail confirmată pe umn.edu
Urmăriți
James T. Teherani
GaN Device Development and Process Integration Engineer, Texas Instruments
Adresă de e-mail confirmată pe ti.com - Pagina de pornire