C.R. Eddy, Jr.

Citat de

	Toate	Din 2019
Referințe bibliografice	12496	4364
h-index	57	34
i10-index	240	114

900

450

225

675

19951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202438 50 43 57 79 86 64 55 79 88 97 129 142 171 212 366 567 691 741 853 894 825 770 852 813 821 766 743 638 580

Acces public

Afișați-le pe toate

38 de articole

7 articole

disponibile

indisponibile

Pe baza cerințelor privind finanțarea

Coautori

Michael MastroUS Naval Research LabAdresă de e-mail confirmată pe us.navy.mil
Marko J. TadjerNaval Research LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe nrl.navy.mil
Travis J. AndersonUniversity of FloridaAdresă de e-mail confirmată pe che.ufl.edu
Brenda VanMilUS Army Research LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe army.mil
Neeraj NepalUS Naval Research LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe nrl.navy.mil
Paul M. CampbellNaval Research LaboratroryAdresă de e-mail confirmată pe nrl.navy.mil
Luke NyakitiAssociate Professor, Texas A&M University, Materials Engineer: Depts. of Marine Eng.;Material ScAdresă de e-mail confirmată pe tamu.edu
Joshua D. CaldwellVanderbilt UniversityAdresă de e-mail confirmată pe vanderbilt.edu
M. TwiggNaval Research LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe estd.nrl.navy.mil
Jihyun KimSeoul National UniversityAdresă de e-mail confirmată pe snu.ac.kr
Andrew D. KoehlerNaval Research LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe nrl.navy.mil
Kok-Keong (KK) LewUniversity of Illinois, The Pennsylvania State University, Naval Research LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe amat.com
Nadeemullah MahadikNaval Research LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe nrl.navy.mil
Nabil BassimMcMaster UniversityAdresă de e-mail confirmată pe mcmaster.ca
Yoosuf N. PicardNational Energy Technology LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe netl.doe.gov
James E. ButlerConsultantAdresă de e-mail confirmată pe euclidtechlabs.com
David J. MeyerNaval Research LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe nrl.navy.mil
Syed B. QadriResearch PhysicistAdresă de e-mail confirmată pe nrl.navy.mil
Zachary RobinsonThe College at BrockportAdresă de e-mail confirmată pe brockport.edu
Scooter JohnsonLead Physicist, HoneywellAdresă de e-mail confirmată pe honeywell.com

Urmăriți

C.R. Eddy, Jr.

U.S. Naval Research Laboratory

Adresă de e-mail confirmată pe nrl.navy.mil

Materials Science Electrical Engineering


Titlu Sortați după descrierea bibliografică Sortați după an Sortați după titlu	Citat de Citat de	Anul
Epitaxial-graphene RF field-effect transistors on Si-face 6H-SiC substrates JS Moon, D Curtis, M Hu, D Wong, C McGuire, PM Campbell, G Jernigan, ... IEEE Electron Device Letters 30 (6), 650-652, 2009	498	2009
Handbook of advanced plasma processing techniques RJ Shul, SJ Pearton Springer Science & Business Media, 2011	365	2011
Silicon carbide as a platform for power electronics CR Eddy Jr, DK Gaskill Science 324 (5933), 1398-1400, 2009	335	2009
Technique for the dry transfer of epitaxial graphene onto arbitrary substrates JD Caldwell, TJ Anderson, JC Culbertson, GG Jernigan, KD Hobart, ... ACS nano 4 (2), 1108-1114, 2010	292	2010
Group III-nitride growth on silicon or silicon germanium substrates and method and devices therefor MA Mastro, CR Eddy Jr, S Akbar US Patent 7,928,471, 2011	269	2011
Hall effect mobility of epitaxial graphene grown on silicon carbide JL Tedesco, BL VanMil, RL Myers-Ward, JM McCrate, SA Kitt, ... Applied Physics Letters 95 (12), 2009	250	2009
Quantum linear magnetoresistance in multilayer epitaxial graphene AL Friedman, JL Tedesco, PM Campbell, JC Culbertson, E Aifer, ... Nano letters 10 (10), 3962-3965, 2010	246	2010
Correlating Raman spectral signatures with carrier mobility in epitaxial graphene: a guide to achieving high mobility on the wafer scale JA Robinson, M Wetherington, JL Tedesco, PM Campbell, X Weng, J Stitt, ... Nano letters 9 (8), 2873-2876, 2009	245	2009
Top-gated epitaxial graphene FETs on Si-face SiC wafers with a peak transconductance of 600 mS/mm JS Moon, D Curtis, S Bui, M Hu, DK Gaskill, JL Tedesco, P Asbeck, ... IEEE Electron Device Letters 31 (4), 260-262, 2010	192	2010
Reduced self-heating in AlGaN/GaN HEMTs using nanocrystalline diamond heat-spreading films MJ Tadjer, TJ Anderson, KD Hobart, TI Feygelson, JD Caldwell, CR Eddy, ... IEEE electron device letters 33 (1), 23-25, 2011	163	2011
A (001) β-Ga2O3 MOSFET with+ 2.9 V threshold voltage and HfO2 gate dielectric MJ Tadjer, NA Mahadik, VD Wheeler, ER Glaser, L Ruppalt, AD Koehler, ... ECS Journal of Solid State Science and Technology 5 (9), P468, 2016	159	2016
Conductance anisotropy in epitaxial graphene sheets generated by substrate interactions MK Yakes, D Gunlycke, JL Tedesco, PM Campbell, RL Myers-Ward, ... Nano letters 10 (5), 1559-1562, 2010	153	2010
Structural, Optical, and Electrical Characterization of Monoclinic β-Ga₂O₃ Grown by MOVPE on Sapphire Substrates MJ Tadjer, MA Mastro, NA Mahadik, M Currie, VD Wheeler, JA Freitas, ... Journal of Electronic Materials 45, 2031-2037, 2016	151	2016
Growth of gallium nitride thin films by electron cyclotron resonance microwave plasma‐assisted molecular beam epitaxy CR Eddy Jr, TD Moustakas, J Scanlon Journal of applied physics 73 (1), 448-455, 1993	149	1993
Surface depletion effects in semiconducting nanowires BS Simpkins, MA Mastro, CR Eddy, PE Pehrsson Journal of Applied Physics 103 (10), 2008	144	2008
Multicycle rapid thermal annealing technique and its application for the electrical activation of Mg implanted in GaN BN Feigelson, TJ Anderson, M Abraham, JA Freitas, JK Hite, CR Eddy, ... Journal of crystal growth 350 (1), 21-26, 2012	137	2012
Large-area transparent conductive few-layer graphene electrode in GaN-based ultra-violet light-emitting diodes BJ Kim, C Lee, Y Jung, K Hyeon Baik, MA Mastro, JK Hite, CR Eddy, ... Applied Physics Letters 99 (14), 2011	131	2011
Morphology characterization of argon-mediated epitaxial graphene on C-face SiC JL Tedesco, GG Jernigan, JC Culbertson, JK Hite, Y Yang, KM Daniels, ... Applied Physics Letters 96 (22), 2010	127	2010
Development of solar-blind photodetectors based on Si-implanted β-Ga₂O₃ S Oh, Y Jung, MA Mastro, JK Hite, CR Eddy Jr, J Kim Optics Express 23 (22), 28300-28305, 2015	125	2015
Low-phase-noise graphene FETs in ambipolar RF applications JS Moon, D Curtis, D Zehnder, S Kim, DK Gaskill, GG Jernigan, ... IEEE Electron Device Letters 32 (3), 270-272, 2011	120	2011

Sistemul nu poate realiza operația în acest moment. Încercați din nou mai târziu.

Articole 1–20

Referințe bibliografice pe an

Citate duplicat

Citate fuzionate

Adăugați coautoriCoautori

Urmăriți

Citat de

Coautori